От 128 Гб eMMC 4.5 к 1 Тб eUFS 2.1: как менялись флеш-накопители Samsung с 2022 года | новости о играх
Сегодня Samsung объявила о начале массового производства первого в индустрии накопителя eUFS 2.1 емкостью в 1 Тб. Такой объем позволяет разместить на смартфоне, например, 260 10-минутных роликов, снятых в разрешении 4K (2160×3840). Наряду с 12 Гб оперативной памяти, 1 Тб флеш-памяти обещает стать трендом среди самых топовых смартфонов 2019 года. Одним из первых такую конфигурацию, если верить утечкам, получит Galaxy S10+, презентация которого состоится 20 февраля.
Особый интерес в сегодняшнем пресс-релизе Samsung вызывает таблица флеш-памяти, выпускаемой Samsung c 2022 года (начиная 128 Гб eMMC 4.5):
Память Скорость последовательного чтения Скорость последовательной записи Скорость случайного чтения Скорость случайной записи
1 Тб eUFS 2.1 (январьМб/с 260 Мб/с 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512 Гб eUFS 2.1 (ноябрьМб/с 255 Мб/с 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 (сентябрьМб/с 150 Мб/с 45,000 IOPS 32,000 IOPS
256 Гб UFS (июльМб/с 170 Мб/с 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256 Гб eUFS 2.0 (февральМб/с 260 Мб/с 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128 Гб eUFS 2.0 (январьМб/с 150 Мб/с 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250 Мб/с 125 Мб/с 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250 Мб/с 90 Мб/с 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 (сентябрьМб/с 50 Мб/с 7,000 IOPS 2,000 IOPS
IOPS — операций ввода/вывода в секунду
Как видим, за шесть с небольшим лет флеш-память выросла в объеме со 128 Гб до 1 Тб (в 8 раз), скорость последовательного чтения — со 140 до 1000 Мб/с (в 7 раз), последовательной записи — с 50 до 260 Мб/с (в 5 раз), случайного чтения — с 7 до 58 тыс. IOPS (в 8 раз), случайной записи — с 2 до 50 тыс. IOPS (в 25 раз). Весьма впечатляюще, хотя надо признать в области мобильных процессоров прогресс гораздо более выдающийся — графическая производительность с 2020 года увеличилась в 1000 раз.
Samsung сравнивает свой новейший чип (его размер — 11.5×13.0 мм) также с распространенным среди ноутбуков и ПК твердотельным накопителем SSD (2.5″ SATA) — по сравнению с последним скорость последовательного чтения выросла в два раза. По сравнению с внешней microSD картой скорость последовательного чтения выше в 10 раз, случайной записи — в 500 раз.
Samsung
Источник: gadgets-news.ru
Комментарии